特許
J-GLOBAL ID：200903040102573010
単結晶の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065165
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279168
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】 単結晶育成の進行に伴なう融液界面ないしは坩堝位置の変位による単結晶の品質劣化を防止し、良好な成長速度をもって高品質かつ均質な単結晶を製造する。【構成】 坩堝中の融液から単結晶インゴットを育成しながら引上げるのに用いられる単結晶製造装置内に、成長する単結晶インゴットを同軸的に囲みその下端が単結晶インゴットの外周面に近接するほぼ逆円錐状の管体からなる熱遮蔽体を配するにおいて、その支持体として、熱遮蔽体の上端外周面に接続され坩堝側方において下方より支持する昇降機構を備えたものを用い、さらに単結晶インゴットの育成進行に伴なう融液界面の変動に関連して前記昇降機構により熱遮蔽体を変位させる制御手段を設ける。
請求項（抜粋）：
坩堝中の融液から単結晶インゴットを育成しながら引上げるのに用いられる単結晶製造装置であって、成長する単結晶インゴットを同軸的に囲みその下端が単結晶インゴットの外周面に近接するほぼ逆円錐状の管体からなる熱遮蔽体を有しており、この熱遮蔽体の上端外周面に接続され、坩堝側方において、この逆円錐状管体を下方より支持する支持体が昇降機構を備え、さらに単結晶インゴットの育成進行に伴なう融液界面の変動に関連して前記昇降機構により熱遮蔽体を変位させる制御手段を有していることを特徴とする単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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