特許

J-GLOBAL ID：200903040102857779

化合物膜の形成方法

発明者： 西山 哲 ,  高橋 英治 ,  緒方 潔
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244334
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068070
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 硬度、靱性および密着性に優れた化合物膜を、複雑な制御を要することなく容易に形成することができ、しかも蒸発源配置の自由度の高い、化合物膜の形成方法を提供する。【解決手段】 アーク放電によって陰極を加熱して陰極物質14を蒸発させるアーク式蒸発源10であって、元素周期表の4A、5Aまたは6A族に属する金属のホウ化物から成る陰極12を有するものを用いる。そして、真空容器2内に窒素ガスまたはそれと不活性ガスとの混合ガス18を導入すると共に基体4にバイアス電源8から負のバイアス電圧を印加しながら、アーク式蒸発源10から陰極物質14を蒸発させてそれを基体4に蒸着させることによって、当該基体4の表面に、前記4A、5Aまたは6A族に属する金属とホウ素と窒素とを含有して成る化合物膜を形成する。

請求項（抜粋）：

アーク放電によって陰極を加熱して陰極物質を蒸発させるアーク式蒸発源であって元素周期表の4A、5Aまたは6A族に属する金属のホウ化物から成る陰極を有するものを用いて、真空容器内に窒素ガスまたはそれと不活性ガスとの混合ガスを導入すると共に基体に負のバイアス電圧を印加しながら、前記アーク式蒸発源から陰極物質を蒸発させてそれを基体に蒸着させることによって、当該基体の表面に、前記4A、5Aまたは6A族に属する金属とホウ素と窒素とを含有して成る化合物膜を形成することを特徴とする化合物膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/32 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/24

FI (3件)：

C23C 14/32 A ,  C23C 14/06 L ,  C23C 14/24 F