液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西野卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314710
公開番号（公開出願番号）：特開平5-150262
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】ゲートラインと補助容量ラインが近接して形成されると、このラインの上を延在するドレインラインと寄生容量を生じ信号の遅延が生じる。また遮光膜の開口部は、対向基板上に形成されるためセルが小さくなると位置合わせ精度が必要になる。本願はこれらを向上するものである。【構成】ドレインライン(43)と補助容量電極(33)の交差部からドレインライン(43)とゲートライン(32)の交差部に渡り、a-Si、SiNXおよびN+a-Siを一体で形成し、この交差部間でドレインラインがゲート絶縁膜(35)と接触しない構造にしている。また補助容量電極(33)の内側側辺より遮光膜の開口部(44)を内側に設定し、対向基板の貼り合わせ精度を軽減した。

請求項（抜粋）：

透明な絶縁性基板上に形成されたゲートと一体のゲートラインと、このゲートラインと実質的に平行に配置された補助容量電極と一体の補助容量ラインと、前記絶縁性基板全面に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲートを一構成とするスイッチング素子領域に形成されたノンドープの第1の非単結晶シリコン膜と、この第1の非単結晶シリコン膜上に積層されたN+型に不純物がドープされた第2の非単結晶シリコン膜と、前記スイッチング素子のソース領域となる前記第2の非単結晶シリコン膜から延在されたソース電極と電気的に接続された表示電極と、前記スイッチング素子のドレイン領域となる前記第2の非単結晶シリコン膜から延在されたドレイン電極と一体のドレインラインとを有する液晶表示装置において、前記ゲートラインとドレインラインの交差部から前記補助容量ラインとドレインラインの交差部に渡り、前記第1の非単結晶シリコン膜および前記第2の非単結晶シリコン膜が連続して設けられることを特徴とした液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 27/12 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-059518
特開昭63-005378
特開平2-063020

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