特許

J-GLOBAL ID：200903040110875298

量子ドットカスケードレーザ装置

発明者： ネッド ウィングリー ,  チャールズ スタフォード
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078497
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012968
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 小さい閾値電流で有効なレーザ放射が可能なレーザ装置を提供する。【解決手段】 電気的コンタクトを一基板面に有する基板層と、基板層の他基板面上に形成された少なくとも1つのダブルドット配列層と、ダブルドット配列層上に形成された別のコンタクト層と、コンタクト層上に形成されたもう一つの電気的コンタクトとを有し、ダブルドット配列層は、他基板面上に間隔をおいて配列された複数のダブル量子ドット部を有し、複数のダブル量子ドット部の各々は他基板面に実質的に垂直な方向に積層された二つの量子ドット部(62)と、二つの量子ドット部の各々を、他基板面に実質的に垂直な方向において間に挟んだ状態に形成された三つの半導体バリア層(64)とを有し、電気的コンタクト及び別の電気的コンタクト間に形成される電流の通路によってレーザ動作が達成されることを特徴とする量子ドットカスケードレーザ装置。

請求項（抜粋）：

電気的コンタクト(708)を一基板面に有する基板層(702)と、前記基板層の前記一基板面に対向する他基板面上に形成された少なくとも1つのダブルドット配列層(714)と、このダブルドット配列層上に形成されたコンタクト層(706)と、このコンタクト層上に形成された別の電気的コンタクト(710)とを有し、前記ダブルドット配列層は、前記他基板面上に間隔をおいて配列された複数のダブル量子ドット部を有し、前記複数のダブル量子ドット部の各々は、所定の体積を持ち、かつ前記他基板面に実質的に垂直な方向に積層された二つの量子ドット部(62)と、前記二つの量子ドット部の各々を、前記他基板面に実質的に垂直な方向において間に挟んだ状態に形成された三つの半導体バリア層(64)とを有し、前記電気的コンタクト及び前記別の電気的コンタクト間に形成される電流の通路によってレーザ動作が達成されることを特徴とする量子ドットカスケードレーザ装置。