特許
J-GLOBAL ID：200903040112757217
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147187
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343351
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 高集積化が極めて容易な半導体装置の提供。【構成】 p型の半導体基板1にはn型の拡散層4が拡散形成されており、半導体基板上には拡散層に臨むコンタクトホール5を備えるシリコン酸化膜2が形成されている。コンタクトホールには多結晶シリコン層6が埋め込まれて拡散層に接合され、多結晶シリコン層の一部はシリコン酸化膜から突出している。多結晶シリコン層上にはシリコン酸化膜7が形成され、シリコン酸化膜上には多結晶シリコン層と突出部分の側面で接合されたアルミ8が形成される。従って、アルミをエッチングガスによってパターンニングする際シリコン酸化膜によって多結晶シリコンが保護され、エッチングガスによって第1の導電体層が削り取られることがなく、高集積化が可能となる。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板と、該第1の半導体基板に形成された第2の導電型の半導体層と、前記半導体基板上に形成され前記半導体層に臨むコンタクトホールが形成された絶縁層と、前記コンタクトホールに埋め込まれて前記半導体層に接合されるとともに前記絶縁層から突出した第1の導電体層と、該第1の導電体層上に形成された絶縁部と、前記絶縁層上に形成され前記第1の導電体層と前記突出部分の側面で接合された第2の導電体層とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/90
