特許
J-GLOBAL ID:200903040115731022
ゼオライト層で被覆された基板を生成する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
尾崎 雄三
, 梶崎 弘一
, 谷口 俊彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-538346
公開番号(公開出願番号):特表2008-517751
出願日: 2005年10月29日
公開日(公表日): 2008年05月29日
要約:
本発明は、金属を含む基板上にゼオライト層を生成する方法であって、数個の成分を含む水性懸濁液を生成する方法ステップであり、1つの成分は、周期表の第三、第四、第五主族の少なくとも1つの架橋元素を含み、前記金属を含む基板は、前記架橋元素の少なくとも1つを含む方法ステップと、前記水性懸濁液に、金属を含む前記基板を導入する方法ステップと、前記水性懸濁液、および該水性懸濁液中に存在する前記金属を含む基板を加熱して、前記金属を含む基板上にゼオライト層をインサイチュウで結晶化させる方法ステップであり、それによって、前記金属を含む基板中の架橋元素を引き出し、前記ゼオライト層に含ませ、前記ゼオライト層を形成するために前記懸濁液中に存在する架橋元素が、非常に低い濃度で存在して、前記懸濁液中での結晶化を大部分または完全に回避され、前記元素を前記基板によって主に供給される方法ステップと、を備えている。
請求項(抜粋):
金属を含む基板上にゼオライト層を生成する方法であって、以下の方法ステップを含む:
(1.1)数個の成分を含む水性懸濁液を生成し、
(1.2)1つの成分は、周期表の第三、第四、第五主族または第一〜第八副族の少なくとも1つの架橋元素を含み、
(1.3)前記金属を含む基板は、前記架橋元素の少なくとも1つを含み、
(1.4)前記水性懸濁液に、前記金属を含む基板を導入し、
(1.5)前記金属を含む基板上にゼオライト層をインサイチュウで結晶化させるため、前記水性懸濁液、およびその中に存在する前記金属を含む基板を加熱して、前記金属を含む基板から架橋元素を引き出し、前記ゼオライト層に含ませ、
(1.6)前記ゼオライト層を形成するために前記懸濁液中に存在する架橋元素は、不十分に存在して、前記懸濁液中での結晶化を大部分または完全に回避し、前記元素を前記基板によって主にまたは完全に提供する。
IPC (8件):
B05D 7/24
, C01B 39/54
, C01B 39/02
, C04B 41/87
, F28F 21/04
, B32B 15/04
, B05D 1/18
, B05D 7/14
FI (8件):
B05D7/24 302B
, C01B39/54
, C01B39/02
, C04B41/87 A
, F28F21/04
, B32B15/04 Z
, B05D1/18
, B05D7/14 101Z
Fターム (43件):
4D075AB03
, 4D075BB22Y
, 4D075BB23Y
, 4D075DA06
, 4D075DB07
, 4D075DC15
, 4D075EA06
, 4D075EA12
, 4D075EB02
, 4D075EB56
, 4D075EC02
, 4D075EC07
, 4D075EC54
, 4F100AB01A
, 4F100AB10A
, 4F100AB11A
, 4F100AB31A
, 4F100AC04B
, 4F100AD00A
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100EH46
, 4F100EJ42
, 4F100GB51
, 4F100JA11B
, 4F100JK06
, 4F100JL11
, 4F100JM01B
, 4G073BD06
, 4G073CZ01
, 4G073CZ57
, 4G073CZ58
, 4G073CZ59
, 4G073FC03
, 4G073FC13
, 4G073FD02
, 4G073FD17
, 4G073FD20
, 4G073FF07
, 4G073GA03
, 4G073GA09
, 4G073GB03
, 4G073UB60
引用特許:
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