特許
J-GLOBAL ID：200903040121056094
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049907
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115911
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 有機シラン系ガス、酸化性ガスおよび塩基性ガスを用いたCVDにより、下地依存性のない、均一に平坦化された酸化シリコン系絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 CVDチャンバの反応領域に、超音波振動印加手段20A、20Bおよび20Cを設け、超音波エネルギを与えつつ成膜する。【効果】 酸化・脱水反応の促進および中間重合体の制御により、膜質の優れた平坦化層間絶縁膜の形成が可能となるとともに、原料ガスや中間生成物のマイグレーションが促進され、従来より低温でステップカバレッジのよい酸化シリコン系絶縁膜が形成できる。
請求項（抜粋）：
有機シラン系ガス、酸化性ガスおよび塩基性ガスとを主体とする原料ガスを用いたCVD法により、被処理基板に超音波振動を印加しつつ、該被処理基板上に酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, B01J 19/10
, C23C 16/40
, C23C 16/44
, H01L 21/3205
