特許
J-GLOBAL ID：200903040122565952
薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-262474
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102903
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 成膜条件等に応じて、基板面内の膜厚均一性を自在に制御する。【解決手段】 縦型低圧CVD装置において、ボート1のウェハ保持溝9に装填された複数の半導体ウェハ5の各々の素子形成面5aの側に、中央部に貫通孔12が形成されたドーナツ形状の膜厚制御板10を配置した。これにより、半導体ウェハ5面上のみの成膜に消費されていた反応ガス6が、半導体ウェハ5の周辺部上に配置されたドーナツ状の膜厚制御板10への成膜にも消費されるようになるため、従来では中央部よりも厚くなっていた半導体ウェハ5の周辺部の膜厚が減少し、半導体ウェハ5の素子形成面5a上の膜厚均一性が向上する。
請求項（抜粋）：
反応ガスの雰囲気中に基板を置くことによって前記基板の表面に所望の薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記基板に沿う位置に膜厚制御板を配置して、薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, H01L 21/205
