特許

J-GLOBAL ID：200903040125280851

半導体ウエーハの製造方法

発明者： 音川 孝雄 ,  津田 信博 ,  牛尾 聡 ,  竹中 卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-289155
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102162
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 デヌーデッドゾーンに欠陥の存在しないウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法による結晶育成の際に、引上げ速度を0.6mm/min.以下にし、結晶中に14〜20ppmaの酸素をドープしたウェーハについて、イントリンシック・ゲッタリング処理を行う。【効果】 デヌーデッドゾーンに欠陥の存在しないDZ層の形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法による結晶育成の際に、引上げ速度を0.6mm/min.以下にし、結晶中に14〜20ppmaの酸素をドープしたウェーハについて、イントリンシック・ゲッタリング処理を行うことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。