特許
J-GLOBAL ID：200903040129770152
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152133
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017828
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】表面の少なくとも一部にCu膜が露出している状態の半導体基板を加熱処理する際にCu酸化物が形成されることを防止でき、低い抵抗値を有するCu配線を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板10の表面の少なくとも一部にCu膜13を露出させた状態で形成する工程と、この後、上記半導体基板の表面のCu膜を加熱処理する際の雰囲気中における還元性ガスの酸化性ガスに対する分圧比を処理温度に応じて制御した状態で加熱する工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面の少なくとも一部にCu膜を露出させた状態で形成する工程と、この後、上記半導体基板の表面のCu膜を加熱処理する際の雰囲気中における還元性ガスの酸化性ガスに対する分圧比を処理温度に応じて制御した状態で加熱する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 M
, H01L 21/88 B
