特許
J-GLOBAL ID：200903040130978409
半導体加速度センサー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254036
公開番号（公開出願番号）：特開平5-093738
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】はり部の破壊等の機能上重要な障害の発生を検出し、障害発生を表示できるようにする。【構成】はり部の破壊によるゲージ抵抗2の断線を電圧比較器6で監視する。この電位差が比較電圧発生器5から発生される一定の比較電圧Vrを越える場合を電圧比較器6により検出し、障害検出信号9として出力する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を加工して形成されるはり部およびおもり部と、前記はり部上に半導体拡散プロセスにより形成されるゲージ抵抗と、前記ゲージ抵抗に電流を供給するために前記ゲージ抵抗に直列に接続された給電回路と、前記ゲージ抵抗で検出した加速度に対応する変化を加速度信号として出力する増幅回路と、直列接続された前記ゲージ抵抗および前記給電回路に並列に接続され且つ予め定められた値の比較電圧を発生する比較電圧発生器と、前記ゲージ抵抗両端の電位差および前記比較電圧発生器より発生される比較電圧を比較する電圧比較器とを有することを特徴とする半導体加速度センサー。
IPC (2件)：
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