特許
J-GLOBAL ID：200903040139227317
半導体容量式加速度センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045793
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254716
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 電極間隔を極めて狭くして大きな差動出力が得られるようにし、且つ検出感度を高くした半導体容量式加速度センサとその製造方法を提供する。【構成】 半導体表面に設けた溝16の中に、梁で支持された可動電極21となる質量部22を浮いた状態に配置し、溝16の側面および可動電極21間の靜電容量変化を差動によって検知する。半導体表面に形成した溝16の側面および可動電極21の極めて狭い間隔を犠牲層を用いることによって極めて狭く形成する。
請求項（抜粋）：
半導体表面に形成された溝と、該溝内に挿入され梁によって支持され可動電極となる質量部と、溝の側面に形成された固定電極と、該固定電極に接続して基板の絶縁層上に引き出された引出電極とからなり、質量部が溝の中で浮いた状態に配置されたことを特徴とする半導体容量式加速度センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/125
, H01L 21/306
