特許

J-GLOBAL ID：200903040139300600

半導体装置及びその製造方法

発明者： 幸山 裕亮
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011287
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214650
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 微細なコンタクト孔に対して優れたバリア性をもって高融点金属配線をコンタクトさせることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Wゲート電極22及び拡散層24,25からなるMOSトランジスタ、及び第1層W配線21が形成されたシリコン基板1を層間絶縁膜31で覆い、これにコンタクト孔32を形成する。Ti膜41を形成し、コンタクト孔32の底部にシリコンとの反応によるTiSi2 膜42を形成し、未反応のTi膜を除去する。第1層W配線21に対するコンタクト孔34を形成し、スパッタによるWN膜51及びCVDによるW膜52を順次形成して、第2層W配線53を埋め込み形成する。第2層配線53の表面をエッチングして、第2層配線53を覆うハードマスクとしてSiN膜61を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、このシリコン基板に形成された拡散層を含む素子と、この素子が形成された基板上に表面が平坦になるように形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜に形成された前記拡散層に対するコンタクト孔と、前記第1の絶縁膜に前記コンタクト孔部分を含んでコンタクト孔より浅く形成されたより配線溝と、前記コンタクト孔の底部に前記拡散層との反応により形成されて埋め込まれた高融点金属シリサイド膜と、前記コンタクト孔及び配線溝に周辺の前記第1の絶縁膜の面位置より窪んだ状態に埋め込み形成された高融点金属窒化物膜と多結晶シリコン膜との積層膜からなる配線と、この配線上の窪みに前記第1の絶縁膜と同じ面位置になるように埋め込み形成された第2の絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 681 F