特許

J-GLOBAL ID：200903040142299280

半導体装置の配線構造及びその形成方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028749
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153797
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】高圧リフロー法において、確実に金属配線材料で凹部が埋め込み得る半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】半導体装置の配線形成方法は、(イ)基体30上に絶縁層20を形成し、該絶縁層20の所定の部分に凹部21を形成する工程と、(ロ)凹部21内を含む絶縁層20上に、金属及び/又は金属化合物から成る下地層22を形成する工程と、(ハ)スパッタリングに使用するターゲットの法線に対して基体の法線を傾けた状態でスパッタリングを行い、少なくとも絶縁層20の上の下地層22上に金属配線材料から成る金属配線材料層24を堆積させ、以って、凹部21の底部にはボイドが残り、且つ、凹部の上方を金属配線材料層24によって塞ぐ工程と、(ニ)高圧下、該金属配線材料層24をリフローさせて、凹部21内を金属配線材料で埋め込む工程を備える。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上に絶縁層を形成し、該絶縁層の所定の部分に凹部を形成する工程と、(ロ)凹部内を含む絶縁層上に、金属及び/又は金属化合物から成る下地層を形成する工程と、(ハ)スパッタリングに使用するターゲットの法線に対して基体の法線を傾けた状態でスパッタリングを行い、少なくとも絶縁層の上の下地層上に金属配線材料から成る金属配線材料層を堆積させ、以って、凹部の底部にはボイドが残り、且つ、凹部の上方を金属配線材料層によって塞ぐ工程と、(ニ)高圧下、該金属配線材料層をリフローさせて、凹部内を金属配線材料で埋め込む工程、を備えたことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285