特許
J-GLOBAL ID：200903040146765995
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156592
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007050
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【構成】 Al2O3またはSiO2上再成長多結晶膜を、レジストのアッシンングを用いたセルフアライン工程で選択除去し、表面を平坦化することを特徴とする、MBE2回成長による屈折率導波構造半導体レーザ素子及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に形成された少なくとも第1導電型クラッド層、活性層及びストライプ状凸部を有した第2導電型クラッド層と第2導電型コンタクト層を有するダブルヘテロ構造と、前記ストライプ状凸部を除く領域に形成された第1導電型電流阻止層を具備してなることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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