特許

J-GLOBAL ID：200903040148587156

半導体光素子及びその製造方法

発明者： 濱本 貴一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286072
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125283
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 波長500nm以上のレ-ザを含むあらゆるレ-ザに対応可能な構造の半導体光素子を提供すること及び従来の時間制御によるエッチング法に比して良好なエッチング深さ精度が得られる半導体光素子の製造方法を提供すること。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-Al0.33Ga0.67As第1クラッド層2、InGaAs/GaAs歪量子井戸活性層3、p-Al0.33Ga0.67As第2クラッド層4、p-Al0.1Ga0.9Asエッチング終点検出層5、p-Al0.33Ga0.67As第3クラッド層6、p-GaAs第1キャップ層7が順次積層されており、上記層5、層6及び層7の一部がエッチングにより除去されてリッジ構造導波路が形成されており、上記層5の厚が少なくともλ/(4n・cosθ)以上である半導体光素子。【効果】 エッチング終点検出にHe-Neレ-ザ(波長:633nm)を用いても、その終点検出が充分に可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも、半導体第1クラッド層、半導体ガイド層、半導体第2クラッド層、前記半導体第2クラッド層と屈折率の異なる半導体エッチング終点検出層、前記エッチング終点検出層と屈折率の異なる半導体第3クラッド層が順次積層されており、前記半導体第3クラッド層及び前記エッチング終点検出層の一部がエッチングにより除去されてリッジ構造導波路が形成されており、前記半導体エッチング終点検出層厚が少なくともλ/(4n・cosθ)以上(但し、λ:エッチング終点検出に用いるレ-ザ波長、n:エッチング終点検出層の屈折率、θ:エッチング終点検出に用いるレ-ザ光のエッチング終点検出層での屈折角)であることを特徴とする半導体光素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/306 U