GaInP系積層構造体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274358
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102566
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】漏洩電流が少なく、電子移動度の均一性に優れるGaInP系高移動度トランジスタ用積層構造体を提供する。【解決手段】緩衝層をキャリア濃度と補償比とが規定されたAlXGa1-XAs(0≦X≦1)の超格子構造から構成する。また、超格子構造緩衝層とGaInAsチャネル層との中間に、エチルGaを原料としたAlYGa1-YAs(0≦Y≦1)層を配置する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性のGaAs単結晶基板の上に、緩衝層、Ga<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>As(0<Z≦1)電子走行層、それぞれGa<SB>X</SB>In<SB>1-X</SB>P(0<X≦1)からなるスペーサ層と電子供給層とを有するGaInP系積層構造体に於いて、緩衝層がアルミニウムまたはガリウムの有機メチル化合物を原料として気相成長された、アルミニウム組成比(X)を相違する複数のAl<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>As(0≦X≦1)層の周期構造体からなり、該周期構造体に接して、アルミニウムまたはガリウムの有機エチル化合物を原料として気相成長されたAl<SB>Y</SB>Ga<SB>1-Y</SB>As(0≦Y≦1)層を有することを特徴とするGaInP系積層構造体。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 29/80 H

Fターム (36件)：

5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AD10 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA59 , 5F045EE12 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK06 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GL16 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN05 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC00 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

特表平6-503208
特開昭63-000170

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