特許

J-GLOBAL ID：200903040160231944

半導体製造・検査装置用セラミックヒータ

発明者： 網野 俊和
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 安富 康男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124879
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319527
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造・検査工程において、半導体ウエハを温度のばらつきが発生せず、均一に加熱することができ、かつ、半導体ウエハを迅速に昇温することが可能である半導体製造・検査装置用セラミックヒータを提供すること。【解決手段】 セラミック基板の表面または内部に抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、上記セラミック基板の少なくとも加熱面側の表面には、平面視円環形状の溝が形成されてなり、上記溝は、円周方向に分割されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。

請求項（抜粋）：

セラミック基板の表面または内部に抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、前記セラミック基板の少なくとも加熱面側の表面には、平面視円環形状の溝が形成されてなり、前記溝は、円周方向に分割されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/66 ,  H05B 3/20 393

FI (3件)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/66 B ,  H05B 3/20 393

Fターム (28件)：

3K034AA02 ,  3K034AA08 ,  3K034AA10 ,  3K034AA15 ,  3K034AA16 ,  3K034AA19 ,  3K034AA34 ,  3K034AA37 ,  3K034BA02 ,  3K034BA13 ,  3K034BA17 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC04 ,  3K034BC12 ,  3K034BC16 ,  3K034BC27 ,  3K034BC29 ,  3K034CA02 ,  3K034HA01 ,  3K034HA10 ,  3K034JA10 ,  4M106AA01 ,  4M106DH44 ,  4M106DH46 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ01 ,  4M106DJ32