特許
J-GLOBAL ID：200903040160748548
半導体チップ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田下 明人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-249575
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064161
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 高い信頼性で実装することのできる半導体チップ及び該半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ30と基板50の熱膨張率は異なり、半導体チップ30の動作時に発生する熱により、半導体チップ30と基板50との間に応力が発生するが、可撓性を有する第2絶縁層236及び弾性を有する銅めっきポスト239によって応力を吸収できるため、電気的接続部にクラックを発生させることがなくなり、半導体チップ30と基板50との間に高い接続信頼性を与える。
請求項（抜粋）：
半導体チップの電極パッド側の表面に第1の絶縁層と第2の絶縁層とが形成され、前記第1の絶縁層には、第1の非貫通孔が設けられ、該第1の非貫通孔には、前記電極パッドに接続されたビアが形成され、また、前記第1の絶縁層の表面には当該ビアに接続される導体回路が形成され、前記第2の絶縁層には、前記導体回路へ至る第2の非貫通孔が設けられ、該第2の非貫通孔には、銅めっきが充填されていることを特徴とする半導体チップ。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
, H01L 21/60
H01L 23/12 501 C
, H01L 23/12 501 P
, H01L 23/12 501 S
, H01L 21/92 604 B
