半導体素子の特性試験回路

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-365445
公開番号（公開出願番号）：特開2003-167018
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】被測定素子端子AF,KFが筐体グランドアースGND(S)側に接続されても、必ず定電流回路が構成され、スイッチング素子、被測定素子等を制御不能な電流によって破壊されないようにすること。【解決手段】電流検出抵抗RSを被測定素子DUTのアノード端子側に配置すると共に、ノイズ対策、感電対策等により前記特性試験回路を含む筐体等に接続されるグランドアースGND(S)点も前記アノード端子側に設け、被測定素子端子KFの短絡時においても必ず前記電流検出抵抗RSを介して定電流が流れ、制御不能な電流によるスイッチング素子Q、被測定素子DUT等の破壊を防止した。

請求項（抜粋）：

電流制御用スイッチング素子に所定の電圧を供給する直流電源と、D/Aコンバータで設定した電流で動作し、前記スイッチング素子に所定の電流を供給する順方向定電流アンプ回路と、該定電流アンプ回路からの電流により前記スイッチング素子がオンした時に所定の電流が供給される被測定素子と、該被測定素子に流れる電流を検出し、前記順方向定電流アンプ回路にフィードバックさせ、前記D/Aコンバータで設定した定電流が前記被測定素子に通電されるようにした電流検出抵抗と、該通電時における前記被測定素子の順方向電圧を測定するA/Dコンバータとを備えた半導体素子の特性試験回路において、前記電流検出抵抗を、前記被測定素子のアノード端子側に配置すると共に、ノイズ対策、感電対策等のために筐体等に接続されるグランドアース点も前記アノード端子側に設け、被測定端子の短絡時においても必ず前記電流検出抵抗を介して定電流が流れ、制御不能な電流による前記スイッチング素子、被測定素子等の破壊を防止したことを特徴とする半導体素子の特性試験回路。

Fターム (5件)：

2G003AA04 , 2G003AB03 , 2G003AE08 , 2G003AG00 , 2G003AH07

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-262072
特開昭63-259477
特開昭60-262072

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