多層導電膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126434
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003914
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】既存のポリエッチバック工程でポリシリコン膜上に発生されるリセス領域の発生を防止することができ、後続工程でポリシリコン膜上に形成されるタングステンシリサイド膜が後続エッチング工程で切られることが防止できる多層導電膜の形成方法を提供する。【解決手段】本発明のポリシリコン膜108を含む多層導電膜の形成方法は、C、S、そしてF成分を含むエッチングガスを使用してポリシリコン膜108の表面をエッチバックして除去する工程と、ポリシリコン膜上にポリシリコン膜108より抵抗が相対的に小さい導電膜形成する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ポリシリコン膜を含む多層導電膜の形成方法において、C、S、そしてF成分を含むエッチングガスを使用して前記ポリシリコン膜の表面をエッチバックして除去する工程と、前記ポリシリコン膜上に前記ポリシリコン膜より抵抗が相対的に小さい導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする多層導電膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 Q , H01L 21/302 F

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