特許

J-GLOBAL ID：200903040169283149

電界緩和分離構造を有する逆導通型サイリスタ

発明者： 李 根三
出願人/特許権者： 東洋電機製造株式会社
代理人 (1件)： 玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344125
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176720
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 サイリスタとダイオードを第1高抵抗層と第2高抵抗層を相互に配置して電気的に分離することにより、不良率が少ない逆導通型サイリスタを提供することを目的とする。【構成】 サイリスタとダイオードを逆並列に配置した逆導通型サイリスタにおいて、サイリスタのゲート、あるいはダイオードのアノードから延びる空乏層が互いに接触することを防止するために、第1高抵抗層と第2高抵抗層を交互に配置することを特徴とする逆導通型サイリスタとしての構成を有する。

請求項（抜粋）：

同一ウエハー上にサイリスタとダイオードとを逆並列に配置構成した逆導通型サイリスタにおいて、前記サイリスタと前記ダイオードとの間に配置され、前記サイリスタの転流失敗防止用分離帯構造と、前記サイリスタと前記ダイオードのそれぞれの耐圧保持用電界緩和構造と、を具備することを特徴とする電界緩和分離構造を有する逆導通型サイリスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/74 ,  H01L 21/761

FI (3件)：

H01L 29/74 H ,  H01L 21/76 J ,  H01L 29/74 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-057250
  
• 特開平3-174775
  
• 特開昭55-118673