特許
J-GLOBAL ID：200903040170593933
気相シリコンエピタキシャル成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004346
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226255
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】複数枚のシリコン単結晶基板を所定の間隔で水平積載し気相エピタキシャル成長を行う際、単結晶基板面間および面内のエピタキシャル膜抵抗率均一性を改善する。【構成】複数枚のシリコン単結晶基板5を基板ホルダー4に搭載し、この基板5上にキャリアガス、原料ガスより成る混合ガスと水素ガスを導入するノズル管8を設け、更にドーピング源となる高濃度不純物ドーピング単結晶基板6を複数の基板5より成る基板群の上部と下部に配置し、それのみを成長中にガスエッチングしてドーピングする為のノズル管9を設けると共に、ノズル管8にはドーピング源単結晶基板6へ成長用ガス放出孔を設けていない構造を有する。
請求項（抜粋）：
複数枚の被気相成長シリコン基板を所定の間隔で水平に積み重ねるように保持し、複数のガス放出孔を有する複数のエピタキシャル成長用ノズル管を有し、前記複数枚の被気相成長シリコン基板のそれぞれの被気相成長面に対してほぼ平行にシラン系ガス、エッチングガス、キャリアガスからなる混合ガスと水素ガスをそれぞれ別の前記ノズル管より流し、前記被気相成長面にエピタキシャル膜を気相成長させる気相シリコンエピタキシャル成長装置において、前記エピタキシャル膜へのドーピング源として高濃度に不純物をドーピングした単結晶基板を有し、これを前記被気相成長シリコン基板と同時に搭載して前記エピタキシャル成長中にこの前記ドーピング源のみをガスエッチングするガスエッチング用ノズル管を設けると共に、前記エピタキシャル成長用ノズル管には前記ドーピング源へのエピタキシャル成長用ガス放出孔を設けないことを特徴とする気相シリコンエピタキシャル成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
