特許
J-GLOBAL ID：200903040173769501
シリコン基板化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177037
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板化合物半導体装置に関し、結晶転位密度の減少と、ウェハの反りの減少と、表面モホロジの改善を実現する技術を提供する。【構成】 シリコン基板1の上に化合物半導体を成長した化合物半導体構造において、この化合物半導体構造がシリコン基板1に近い側の例えばGaAs層2である第1の化合物半導体と、その上の例えばInAlGaAs層3またはInGaAs層4、あるいはInGaAs層4とInAlGaAs層3のヘテロ構造である第2の化合物半導体からなるヘテロ構造を含み、この第2の化合物半導体が第1の化合物半導体よりも大きい格子定数を有しており、かつ、この第2の化合物半導体の膜厚が臨界膜厚を超える構成を採用し、第1の化合物半導体の層に生じる転位を、第1の化合物半導体と第2の化合物半導体の層の界面に集中させ、その上に成長する第2の化合物半導体の層に貫通しないようにした。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に化合物半導体を成長した化合物半導体構造において、該化合物半導体構造がシリコン基板に近い側の第1の化合物半導体とその上の第2の化合物半導体からなるヘテロ構造を含み、該第2の化合物半導体が該第1の化合物半導体よりも大きい格子定数を有しており、かつ、該第2の化合物半導体の膜厚が臨界膜厚を超えることを特徴とするシリコン基板化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/812
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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