特許
J-GLOBAL ID：200903040175256315
半導体位置検出器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238464
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068723
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 検出感度を向上可能な半導体位置検出器を提供する。【解決手段】 櫛歯型のPSDにおける基幹導電層からは複数の分枝導電層7が延びているが、本検出器においては分枝導電層7が延びていない領域、補助抵抗領域60を有する。補助抵抗領域60にはフォトダイオード10が対向して形成されており、この領域の位置検出においては、PSD及びフォトダイオード10双方の信号から入射光位置を検出する。
請求項（抜粋）：
受光面上の入射光位置に応じて半導体導電層の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、前記受光面内にフォトダイオードを形成し、前記両端部及び前記フォトダイオードからの電流値に基づいて所定範囲の入射光位置を演算可能なように前記フォトダイオードを配置したことを特徴とする半導体位置検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/16 B
, G01B 11/00 A
2F065AA06
, 2F065DD04
, 2F065FF09
, 2F065JJ01
, 2F065JJ16
, 2F065JJ18
, 2F065LL04
, 2F065QQ26
, 2F065QQ27
, 2F065QQ28
