特許

J-GLOBAL ID：200903040177889722

III 族窒化物半導体装置およびその製造方法

発明者： 松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  大井 明彦 ,  松山 秀昭 ,  上條 洋
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055590
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242586
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】結晶性の良好なIII 族窒化物半導体装置と亀裂の生じないIII 族窒化物半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板上にGaN またはAlN からなるバッファー層を介してAlx Ga1-x-y Iny N (ただし、 0≦x ≦1 、 0≦y ≦1 、x=y=0 を含む)からなる複数層が積層されてなるIII 族窒化物半導体装置において、前記バッファ層に隣接するAlx Ga1-x-y Iny N 層にカーボン(C) 、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、酸素(O) の内少なくとも1つ以上からなる第1の不純物と共にマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、水銀(Hg)、硫黄(S) 、もしくはセレン(Se)の内、少なくとも1つ以上からなる第2の不純物を添加する。図1はGaN膜のSEM写真であり、(a)はSiとMgの同時添加、(b)はSiのみの添加の場合である。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上にGaNまたはAlNからなるバッファー層を介してAlx Ga1-x-y Iny N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、x=y=0を含む)からなる複数層が積層されてなるIII 族窒化物半導体装置において、前記バッファ層に隣接するn型のAlx Ga1-x-y Iny N層にはカーボン(C)、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、酸素(O)の内少なくとも1つ以上からなる第1の不純物と共にマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、水銀(Hg)、硫黄(S)、もしくはセレン(Se)の内、少なくとも1つ以上からなる第2の不純物が添加されていることを特徴とするIII 族窒化物半導体装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205