特許

J-GLOBAL ID：200903040178527077

半導体ウエハの洗浄装置

発明者： 小林 敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200235
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037852
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 フッ酸ガス又はフッ酸蒸気による半導体ウエハの洗浄時に、洗浄ムラや曇りのない均一な洗浄を可能にする。【構成】 半導体ウエハ3を洗浄するためにこれを内包する処理チャンバー1と、フッ酸ガス又はフッ酸蒸気4を層流化するための整流板2と、半導体ウエハ3に超音波振動を与えるための超音波振動子5とを有し、フッ酸ガス又はフッ酸蒸気4による半導体ウエハ3の洗浄時に、整流板2によりフッ酸ガス又はフッ酸蒸気4を層流化すると共に、超音波振動子5により半導体ウエハ3に振動を与え、均一な洗浄を行なう。

請求項（抜粋）：

フッ酸ガス又はフッ酸蒸気中で半導体ウエハを洗浄する洗浄装置において、上記フッ酸ガス又はフッ酸蒸気を層流化するための整流板と、該整流板により層流化されたフッ酸ガス又はフッ酸蒸気が下降し上記半導体ウエハを洗浄する際、上記整流板の下方に位置し、上記半導体ウエハに超音波振動を与えるための超音波振動子と、を有することを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置。