特許

J-GLOBAL ID：200903040180035777

埋込形成されたダイオードを有する横型半導体-オン-絶縁体(SOI)半導体装置

発明者： ペイン ハワード ビー
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェン ノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-516073
公開番号（公開出願番号）：特表平8-506936
出願日： 1994年12月02日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】横型半導体-オン-絶縁体(SOI)装置は基板と、基板上に埋込形成した絶縁層と、絶縁層上に形成したLDMOSトランジスタ、LIGBT又は横型サイリスタのような横型半導体装置を具える。前記半導体装置(LDMOSトランジスタの場合)は、ソースと、チャネル領域と、チャネル領域上に形成した絶縁ゲート電極と、低濃度の不純物が添加された単結晶半導体材料の連続する層で構成したドリフト層と、チャネル領域から横方向において離間しドリフト層によりチャネル領域に接続したドレインコンタクト領域とを具える。埋込ダイオードは、基板中に形成し、ドレインコンタクト領域と埋込ダイオードとの間の領域を横方向に延在するドリフト領域によってドレインコンタクト領域に電気的結合する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に埋込形成した絶縁層と、この絶縁層上に形成した横型半導体デバイスと、前記基板の内部に基板と隣接するように埋込形成した第1導電型の埋込領域とを具え、 前記半導体デバイスが、第1導電形のソース領域と、第1導電型とに反対の第2導電型のチャネル領域と、このチャネル領域上に形成され絶縁されたゲート電極と、少なくとも一部が前記埋込形成された絶縁層上に形成された第1導電型のドリフト層と、前記チャネル領域と横方向において離間し前記ドリフト領域によりチャネル領域に接続されている第1導電型のドレインコンタクト領域とを有し、 前記基板を第2導電型とし、前記埋込形成領域が前記ドレインコンタクト領域の下側に位置する横型半導体-オン-絶縁体(SOI)装置において、 前記ドリフト領域を、前記ドレイコンタクト領域と前記埋込領域との間の領域を横方向に延在すると共に埋込領域を前記ドレインコンタクト領域に電気的に結合する低濃度の不純物が添加された単結晶半導体材料の連続する層で構成したことを特徴とする横型半導体-オン-絶縁体(SOI)装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 301 J