特許

J-GLOBAL ID：200903040181454412

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 立川 景士 ,  岡田 裕幸
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025325
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244401
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 シェーディングを引き起こすことなく、効率の良い転送を実現し、かつCCDのダイナミックレンジの拡大を可能とする。【構成】 CCD転送チャンネル8は、p型ウェル2の表面に選択的に形成されたn型領域である。p型領域10は分離領域であり、p型領域11はゲート電極12の読み出し電圧制御領域であり、高濃度p型領域3はn型のCCD転送チャンネル8とn型半導体基板1とを分離する領域である。高濃度p型領域3は、p型領域10とp型領域11とでCCD転送チャンネル8を取り囲むように形成されている。高濃度p型領域3のCCD転送チャンネル8と接する側に、低濃度p型領域4が形成されている。この低濃度p型領域4が、電荷転送時のCCD転送チャンネル8内のポテンシャルの変化量を大きくし、転送効率を高め、かつCCDのダイナミックレンジを拡大する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたp型ウェル内の表面に選択的に形成されたn型拡散層と、前記半導体基板の表面で前記n型拡散層の端にそれぞれ接して形成された第1および第2のp型拡散層と、この第1および第2のp型拡散層とともに前記n型拡散層を取り囲むように前記n型拡散層の直下に形成された第3のp型拡散層と、この第3のp型拡散層の前記半導体基板表面側に位置し前記n型拡散層と接するように形成された低濃度のp型拡散層とを備えた固体撮像装置。