特許
J-GLOBAL ID：200903040182319055
タングステンの成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100363
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307311
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 タングステンの成膜に際し, 下地膜が剥がれないように成長核の形成を十分に行い, 且つ成長核形成に続くパルク成長膜の段差被覆性を良くする。【構成】 1)六フッ化タングステンを水素化シリコンで還元してタングステンの成長核形成を行い,次いで該成長核形成の際の成長温度より低温で六フッ化タングステンを水素で還元して成膜する,2)前記水素化シリコン還元の際の成長温度が 475°C以上であり,水素還元の際の成長温度が 425〜450 °Cである,3)下地膜として窒化チタンを用い,この上に成膜する。
請求項（抜粋）：
六フッ化タングステンを水素化シリコンで還元してタングステンの成長核形成を行い,次いで該成長核形成の際の成長温度より低温で六フッ化タングステンを水素で還元して成膜することを特徴とするタングステンの成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 301
, C23C 16/44
, H01L 21/205
