特許
J-GLOBAL ID：200903040184869524
光半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222921
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069263
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体素子特に発光ダイオードの電極の形成に関するもので、その電極にワイヤーボンドする際にその衝撃が発光に預かる層(PN層)に伝わり、破壊や歪を与えて発光出力を低下させることを除去する構成を提供するものである。【構成】 本発明は、発光に預かる層2,3,4に凹部を設け、その側壁、底面、および最上層4の一部にわたる絶縁膜6を形成し、その上に電極5を最上層4にコンタクトする形に形成したものである。つまり、ワイヤーボンド時の衝撃を発光に預かる層の少なくとも3,4に伝わらないようにしたものである。
請求項（抜粋）：
光半導体素子に設けられた電極の、少なくとも外部配線としてのワイヤーボンドを行なう領域の直下には、光発光受光に直接関与する層を設けず、それ以外の層を設けてあることを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
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