特許

J-GLOBAL ID：200903040200967949

CMOSイメージセンサ

発明者： 舟木 正紀
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134953
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329855
出願日： 2001年05月02日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 開口率を高めたCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】 第1電位Vddが供給されている第1導電型の半導体基板20表面に、逆バイアスになるように第2電位が供給されている第2導電型の第1ウェル23が形成されており、前記第1ウェル23内にフォトダイオード7と、前記フォトダイオード7で発生した電荷による電位の変化を増幅する増幅用トランジスタ8とを備える画素30が、ライン状あるいはアレイ状に複数個配列してあるようなCMOSイメージセンサにおいて、前記画素30内に設けた第1導電型の高濃度拡散層8Dに接し、かつ前記基板20に達するように第1導電型の第2ウェル27が形成されており、前記第2ウェル27を通して、前記基板20に設定されている前記第1電位Vddを前記高濃度拡散層8Dに供給する。

請求項（抜粋）：

第1電位が供給されている第1導電型の半導体基板表面に、逆バイアスになるように第2電位が供給されている第2導電型の第1ウェルが形成されており、前記第1ウェル内にフォトダイオードと、前記フォトダイオードで発生した電荷による電位の変化を増幅する増幅用トランジスタとを備える画素が、ライン状あるいはアレイ状に複数個配列してあるようなCMOSイメージセンサにおいて、前記画素内に設けた第1導電型の高濃度拡散層に接し、かつ前記基板に達するように第1導電型の第2ウェルが形成されており、前記第2ウェルを通して、前記基板に設定されている前記第1電位を前記高濃度拡散層に供給することを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/3205 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 21/88 J

Fターム (14件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA20 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  5C024CX41 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F033JJ06 ,  5F033LL04 ,  5F033MM30