特許
J-GLOBAL ID:200903040204431164

処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-110286
公開番号(公開出願番号):特開2000-306844
出願日: 1999年04月19日
公開日(公表日): 2000年11月02日
要約:
【要約】【課題】 プラズマCVD法等による基体や膜の処理装置において、処理空間からの排気中に含まれる未反応ガスや副生成物を効率よく分解、除去して回収し、排気手段への副生成物の付着、堆積を防止する。【解決手段】 放電空間15の近傍にフィラメント19等化学反応生起手段を設置し、該フィラメント近傍に化学反応生成物を回収する回収壁20を配し、該フィラメント19の排気ポンプ2側に冷却手段21を配置して、排気配管3及び処理チャンバー1を冷却する。
請求項(抜粋):
基体または膜を処理するための処理空間と該処理空間を排気するための排気手段とを有する処理装置であって、上記処理空間と排気手段とを結ぶ排気経路に、該処理空間から排気された未反応ガス及び副生成物の少なくとも一方に化学反応を生起させる化学反応生起手段を配設し、該化学反応生起手段の排気手段側に冷却手段を有することを特徴とする処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/205 ,  B01D 53/46 ,  B01J 12/02 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/44
FI (5件):
H01L 21/205 ,  B01J 12/02 A ,  B01J 19/08 F ,  C23C 16/44 E ,  B01D 53/34 120 A
Fターム (64件):
4D002AA26 ,  4D002AC10 ,  4D002BA07 ,  4D002BA12 ,  4D002BA13 ,  4D002CA13 ,  4D002CA20 ,  4D002DA70 ,  4D002EA02 ,  4D002EA13 ,  4D002GA02 ,  4D002GA03 ,  4D002GB01 ,  4D002GB02 ,  4D002GB03 ,  4D002GB04 ,  4D002GB11 ,  4D002GB20 ,  4D002HA03 ,  4D002HA06 ,  4D002HA10 ,  4G075AA24 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA02 ,  4G075CA03 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB21 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030EA12 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA22 ,  4K030KA26 ,  4K030KA41 ,  4K030KA49 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB10 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EB15 ,  5F045EE04 ,  5F045EG07 ,  5F045EG08 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK06
引用特許:
審査官引用 (9件)
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