特許
J-GLOBAL ID:200903040204431164
処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-110286
公開番号(公開出願番号):特開2000-306844
出願日: 1999年04月19日
公開日(公表日): 2000年11月02日
要約:
【要約】【課題】 プラズマCVD法等による基体や膜の処理装置において、処理空間からの排気中に含まれる未反応ガスや副生成物を効率よく分解、除去して回収し、排気手段への副生成物の付着、堆積を防止する。【解決手段】 放電空間15の近傍にフィラメント19等化学反応生起手段を設置し、該フィラメント近傍に化学反応生成物を回収する回収壁20を配し、該フィラメント19の排気ポンプ2側に冷却手段21を配置して、排気配管3及び処理チャンバー1を冷却する。
請求項(抜粋):
基体または膜を処理するための処理空間と該処理空間を排気するための排気手段とを有する処理装置であって、上記処理空間と排気手段とを結ぶ排気経路に、該処理空間から排気された未反応ガス及び副生成物の少なくとも一方に化学反応を生起させる化学反応生起手段を配設し、該化学反応生起手段の排気手段側に冷却手段を有することを特徴とする処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/205
, B01D 53/46
, B01J 12/02
, B01J 19/08
, C23C 16/44
FI (5件):
H01L 21/205
, B01J 12/02 A
, B01J 19/08 F
, C23C 16/44 E
, B01D 53/34 120 A
Fターム (64件):
4D002AA26
, 4D002AC10
, 4D002BA07
, 4D002BA12
, 4D002BA13
, 4D002CA13
, 4D002CA20
, 4D002DA70
, 4D002EA02
, 4D002EA13
, 4D002GA02
, 4D002GA03
, 4D002GB01
, 4D002GB02
, 4D002GB03
, 4D002GB04
, 4D002GB11
, 4D002GB20
, 4D002HA03
, 4D002HA06
, 4D002HA10
, 4G075AA24
, 4G075BC02
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075CA02
, 4G075CA03
, 4G075CA47
, 4G075CA65
, 4G075DA02
, 4G075EB01
, 4G075EB21
, 4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA30
, 4K030EA12
, 4K030FA03
, 4K030FA10
, 4K030KA22
, 4K030KA26
, 4K030KA41
, 4K030KA49
, 5F045AA08
, 5F045AB02
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AD06
, 5F045AD10
, 5F045AE21
, 5F045AE23
, 5F045AF03
, 5F045AF07
, 5F045BB10
, 5F045DP04
, 5F045EB02
, 5F045EB06
, 5F045EB15
, 5F045EE04
, 5F045EG07
, 5F045EG08
, 5F045EH14
, 5F045EJ04
, 5F045EJ09
, 5F045EK06
引用特許:
審査官引用 (9件)
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特開昭64-053412
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特開昭64-082523
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トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-132833
出願人:東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社
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薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-248781
出願人:松下電器産業株式会社
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排ガス処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-231719
出願人:ソニー株式会社
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ガス回収装置、真空排気方法及び真空排気装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-164852
出願人:大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
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成膜装置の排気系の運転方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-049853
出願人:株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
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特開昭64-053412
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特開昭64-082523
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