特許
J-GLOBAL ID：200903040207038951
強誘電体を備えた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-171123
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067792
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 ゲート電極22と局所酸化膜26との間のソース領域23上に強誘電体キャパシタCの構造体が存在する。これは強誘電体膜29とこれを挟む上部電極30及び下部電極31を有し、下部電極31とソース領域23との間に導電性反応防止膜32を備えている。導電性反応防止膜32はTiN,TiON,TiW,MoSiである。【効果】 強誘電体膜29の結晶性改質の目的で強誘電体膜29の形成後、酸素アニール処理しても酸素は導電性反応防止膜によりブロックされる。それ故、ソース界面でのシリコン酸化膜の生成は殆ど起らず、接触抵抗の低減直列寄生容量の回避を達成でき、キャパシタCの形成領域の自由度が増し、高密度集積化が図れる。
請求項（抜粋）：
酸素結合性のある半導体基体の主表面上または内部において電極を介して形成された強誘電体膜を素子要素とする半導体装置であって、該半導体基体と該電極との間には導電性反応防止膜が形成されてなることを特徴とする強誘電体を備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/04
, H01L 21/28 301
