特許

J-GLOBAL ID：200903040208750914

CMP装置

発明者： 日原 克巳
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224477
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037088
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 従来のCMP装置のウェーハホルダ部の各通気孔は、すべて空隙部で連通しており、各通気孔を通して均一な圧力で押圧するが、実際の半導体ウェーハには微小ではあるが反りやうねりがあり、保持面と半導体ウェーハとの密着レベルには若干の面内バラツキが生じた。【解決手段】 本発明のCMP装置のウェーハホルダ部101のステージ102は、半径の異なる同心円の円周上に均等に配列されている通気孔103を有し、各同心円上に配列された通気孔103のグループ毎に共通の空隙部104a,104b,104c,104dで接続され、各通気部105a,105b,105c,105dを有する接続部106を通じて、個別のポンプ107a,107b,107c,107dに接続されており、圧力気体の圧力は各同心円上に配列された通気孔103のグループ毎に制御できるようになっている。

請求項（抜粋）：

被処理物を保持する保持面に異なる半径の同心円上に配置された通気孔を通して圧力気体を供給し、被処理物を回転テーブルに押当てて被処理物の研磨面を研磨するCMP装置において、圧力気体の圧力が各同心円上に配置された通気孔のグループ毎に個別に制御可能であることを特徴とするCMP装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 K ,  B24B 37/00 B

Fターム (8件)：

3C058AA12 ,  3C058AB04 ,  3C058AC02 ,  3C058BA05 ,  3C058BB04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17