特許
J-GLOBAL ID：200903040210208809
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-344398
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150098
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離された導電領域を有する半導体装置であって、トレンチ内への水分の浸入や異物の侵入が防止できると共に、安価に製造することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】埋め込み酸化膜22を有するSOI基板のSOI層21に対して、埋め込み酸化膜22に達するトレンチ加工を施し、トレンチT21により取り囲まれて、周囲から絶縁分離されたSOI層21からなる導電領域R1〜R3を有する半導体装置20であって、導電領域R1〜R3におけるSOI層21の表面に、パッド電極P1〜P3が設けられ、パッド電極P1〜P3を露出する開口部K1〜K3が形成され、トレンチT21を覆ってトレンチT21を外部から密封するキャップ23が、SOI基板上に貼り合わされてなる半導体装置20とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
埋め込み酸化膜を有するSOI基板のSOI層に対して、前記埋め込み酸化膜に達するトレンチ加工を施し、前記トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離されたSOI層からなる導電領域を有する半導体装置であって、
前記導電領域におけるSOI層の表面に、パッド電極が設けられ、
前記パッド電極を露出する開口部が形成され、前記トレンチを覆ってトレンチを外部から密封するキャップが、前記SOI基板上に貼り合わされてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/125
, G01P 9/04
H01L29/84 Z
, G01P15/125 Z
, G01P9/04
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112FA20
出願人引用 (1件)
-
慣性力センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-124795
出願人：三菱電機株式会社
審査官引用 (5件)
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