特許

J-GLOBAL ID：200903040216262120

半導体発光装置の製造方法

発明者： 岩本 浩治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350551
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190129
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 発光効率の低下、動作電流の増加、寿命の低下を回避する。【解決手段】 電流阻止領域を有する半導体発光装置の製造方法において、チャネリング注入によるイオン注入によって高抵抗の電流阻止領域を形成する。

請求項（抜粋）：

電流阻止領域を有する半導体発光装置の製造方法において、上記電流阻止領域をイオン注入による高抵抗化によって形成し、該イオン注入方向を、チャネリング方向に選定したことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。