特許
J-GLOBAL ID：200903040222286104
縦型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306085
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145457
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 U溝トレンチを有する縦型電界効果トランジスタにおいて、ゲートカットオフ電圧のばらつきを低減し、短チャネル効果による耐圧不良を防止する。【解決手段】 N+型のシリコン基板1と、その上に形成されたNエピタキシャル層2と、このエピタキシャル層の表面にP型不純物をイオン注入して形成されたPベース領域5と、このベース領域内にその深さよりも浅く形成されたN+ソース領域6と、エピタキシャル層2に貫通到達するトレンチの底面及び側面を被覆するゲート酸化膜3を介してトレンチを埋めるゲート電極4とを有する。そして、ベース領域5における深さ方向の最も不純物濃度が高い位置がソース領域6との接合界面から0.1μm以上深い位置にある。
請求項（抜粋）：
一導電型のシリコン基板と、このシリコン基板上に形成された一導電型のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層の表面に形成された逆導電型のベース領域と、このベース領域内にその深さよりも浅く形成された一導電型のソース領域と、前記ベース領域及びソース領域を貫通し、前記エピタキシャル層又はシリコン基板中に底面を有するトレンチと、このトレンチの底面及び側面を被覆するゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜を介して前記トレンチを埋めるゲート電極とを有し、前記ベース領域における深さ方向の最も不純物濃度が高い位置が前記ベース領域とソース領域との接合界面から0.1μm以上深い位置にあることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 D
, H01L 21/74
, H01L 29/78 653 A
