特許
J-GLOBAL ID：200903040224563059
低雑音増幅器入力装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202393
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053714
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】誘電体損失の影響がなく、能動素子の雑音最小インピーダンスとの整合が容易に得られる。また、電界集中が弱くなるので導体損も低減され、FETの安全性が高く、性能ばらつきが生じるのを低減できるようにする。【構成】誘電体基板40上に配置されたFET30のゲート電極3Gを、基板の誘電体損の影響を避けるために変形させて離間するか、または、基板に長穴41を設けて、そのまま延在して、前記基板40に取付けられている入力プローブ41に接続するものである。
請求項（抜粋）：
低雑音増幅器を構成するFETのゲートに入力プローブを接続する伝送線路において、誘電体基板上に配設された低雑音増幅器用の前記FETのゲート電極を、誘電体損の影響を防ぐために前記誘電体基板から間隔をおいて、かつ入力整合調整を容易にするために調整余裕を持って、前記誘電体基板に設けられている前記入力プローブに接続した構成とすることを特徴とする低雑音増幅器入力装置。
IPC (4件)：
H01P 5/02
, H01P 3/08
, H03F 3/60
, H04B 1/18
