特許
J-GLOBAL ID：200903040227703099
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-030349
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223440
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】【課題】 GaN系の半導体レーザ装置において、高出力まで基本横モード発振を得る。【解決手段】 サファイア基板11上に、GaNバッファ層12、GaN層13を成長させる。GaN層16を20μm程度選択成長させ、n-GaNコンタクト層17、n-Ga1-z1Alz1N/GaNクラッド層18,nあるいはi-Ga1-z2Alz2N光導波層19、Inx2Ga1-x2N(Si-ドープ)/Inx1Ga1-x1N多重量子井戸活性層20、p-Ga1-z3Alz3Nキャリアブロッキング層21、nあるいはi-Ga1-z2Alz2N光導波層22、p-Ga1-z1Alz1N/ GaN超格子第一クラッド層23、n-Ga1-z4Alz4N/ GaN超格子電流狭窄層24を積層する。p-Ga1-z1Alz1N/GaN第一クラッド層23の途中まで除去して2μmの幅の溝を形成する。p-Ga1-z1Alz1N/ GaN超格子第二クラッド層27、p-GaNコンタクト層28を形成する。n側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。引き続き、p側電極30を形成する。
請求項（抜粋）：
第一導電型GaN層より上に、少なくとも、活性層、第二導電型上部第一クラッド層、第一導電型電流狭窄層、第二導電型上部第二クラッド層、第二導電型コンタクト層が積層されてなり、前記電流狭窄層に、電流を注入するための溝が少なくとも前記第二導電型上部第一クラッド層が露出する深さまで形成されている屈折率導波機構を有する半導体レーザ装置おいて、前記活性層が、In<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>NとIn<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>Nを交互に積層してなる単一量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造からなり(ただし、組成比は0≦x2<x1<0.5である。)、前記第一導電型電流狭窄層が、Ga<SB>1-z4</SB>Al<SB>z4</SB>N(ただし、0<z4<1である)とGaNの超格子からなり、該電流狭窄層の上に前記溝を覆うように第二導電型上部第二クラッド層が積層されており、該第二導電型上部第二クラッド層の上全面に第二導電型GaNコンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (12件)：
5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073BA02
, 5F073BA04
, 5F073BA07
, 5F073BA09
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB10
, 5F073DA05
, 5F073DA24
