特許

J-GLOBAL ID：200903040229866742

プラズマエツチング装置

発明者： 塩原 敏孝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188517
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036642
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】処理されるウェーハ8の枚数にかかわらず、最適のエッチングが出来る。【構成】プラズマ反応に伴う光の強度を検出する受光センサ9と、受光センサ9の光電流によりガスの流量を制御する流量制御弁11及びその制御部1を設けることによって、ウェーハ8の枚数に応じてガス流量を自動的に調整している。

請求項（抜粋）：

対向する電極のいずれかの電極に半導体基板を載置し、反応ガスの雰囲気にし、前記電極間に高周波電圧を印加して前記半導体基板面をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置において、プラズマ反応に遊離される反応ガスの物質の量を検出する検出手段を備え、この物質の量によって前記反応ガスの流量を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置。