特許

J-GLOBAL ID：200903040231587974

マグネトロンプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 藤田 敬次 ,  宮島 秀史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368551
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185494
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 低密度プラズマの領域で堆積する低い膜質の膜堆積を抑制し、高密度プラズマ領域のみを利用して成膜を行うことにより膜質が一定な成膜を形成するマグネトロンプラズマ処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 マグネット5による磁界の移動、回転により処理能力を高めたマグネトロンプラズマ処理装置において、プラズマ密度の反応容器内部における分布に対応して、ガスの導入分布を制御し、又は下部電極8上のウェハ10に印加されるバイアス分布を制御する。高周波電源1を有する上部電極4と高周波電源7を有する下部電極8との間に生ずる高密度プラズマ領域を利用してウェハ処理ができ、低密度プラズマ領域(この領域はガスをオフにする)での処理による弊害を抑止し、処理むらを解消できる。また低密度プラズマ領域で堆積する低い膜質の膜堆積を抑制し、膜質一定の成膜が可能になる。

請求項（抜粋）：

被処理基体を載置する下部電極と、前記下部電極と対向配置された上部電極と、前記上部電極表面に、前記下部電極表面に対向するように取り付けられた複数のガス導入口と、前記下部電極及び前記上部電極の間に磁界を生成させ、且つこの磁界を移動もしくは回転させる手段とを備え、前記移動もしくは回転する磁界及び前記下部電極と前記上部電極との間に印加された電圧により高密度プラズマ領域と低密度プラズマ領域を有するプラズマを発生させ、このプラズマを利用し、主として高密度プラズマ領域内で前記被処理基体に所定の処理を施すことを特徴とするマグネトロンプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (40件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030FA14 ,  4K030JA05 ,  4K030JA18 ,  4K030KA05 ,  4K030KA17 ,  4K030KA20 ,  4K030KA34 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB08 ,  5F004BB13 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045EE12 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH20 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09