特許

J-GLOBAL ID：200903040233241854

半導体装置とその製造方法

発明者： 西本 昭三
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-305767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135259
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 高低差が大きくなって焦点深度が不足する場合にも微細なパターンを加工することができるようにする。【構成】 高低差のある絶縁膜上においてパターニングする際に、高所におけるミニマム・フィーチャー・サイズFと低所におけるミニマム・フィーチャー・サイズfとを異ならしめる。そして、高所および低所の高さをhH 、hL 、そこでのミニマム・フィーチャー・サイズをそれぞれF、fとし、そのパターンを形成するのに用いる結像系の、寸法fのパターンを解像できる焦点深度をDOF(f)とするとき、(1/2)DOF(F)+(1/2)DOF(f)≧(hH -hL )なる不等式を満たすようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の高低差のある層上に結像系により同時に形成されたパターンが設けられている半導体装置において、高所におけるパターンのミニマム・フィーチャー・サイズと低所におけるパターンのミニマム・フィーチャー・サイズとが異なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/30 526 Z ,  H01L 21/94 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-335569
  
• 特開昭64-061753
  
• 特開平2-226724
  
• 特開平4-335569