特許

J-GLOBAL ID：200903040240265289

フォトマスクパターン近接効果補正方法及び装置

発明者： 春木 珠江
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121640
公開番号（公開出願番号）：特開平8-314114
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】露光条件が変わっても近接効果補正をより客観的かつ正確に正確に行う。【構成】第1マスクパターンに第2マスクパターンが隣接している場合に、第2マスクパターンの第1マスクパターンに対する近接効果の補正を行うフォトマスクパターン近接効果補正方法において、孤立した第1マスクパターンのみによるレジスト位置での光強度分布Irを算出し、第2マスクパターン及びエッジの位置を補正した第1マスクパターンの両方によるレジスト位置での光強度分布Iiを算出し、hi=|Ii-Ir|a を、該エッジに対応したレジスト上の位置の付近の領域で積分して、積分値Hiを求め、求めた積分値Hiのうちの最小値に対応した該補正を、該第1マスクパターンに対し施す。

請求項（抜粋）：

第1マスクパターンに第2マスクパターンが隣接している場合に、第2マスクパターンの第1マスクパターンに対する近接効果の補正を行うフォトマスクパターン近接効果補正方法において、孤立した第1マスクパターンのみによるレジスト位置での光強度分布Irを算出し、第2マスクパターン及びエッジの位置を補正した第1マスクパターンの両方によるレジスト位置での光強度分布Iiを算出し、IiとIrとの差に対応した値hiを、所定領域で実質的に積分して、積分値Hiを求め、求めた積分値Hiのうちの最小値に対応した該補正を、該第1マスクパターンに対し施すことを特徴とするフォトマスクパターン近接効果補正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 531 M