半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122890
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313668
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】【課題】高周波電力によって原料ガスをプラズマ化し、基体上に堆積膜を形成する、半導体装置の製造方法において、高速な処理速度で大面積の基体上に、膜厚、膜質共に均一で欠陥の少ない堆積膜を形成する。【解決手段】最初の工程において、支持体上に、所定の原料ガス流量、高周波電力で第1の層を形成する。その後の工程において、第1の層領域におけるのとは異なる、原料ガス流量、高周波電力で第2の層を形成する。第1の層を形成する工程と第2の層を形成する工程の間には、原料ガス流量、高周波電力を、第1の層における量から第2の層における量へと徐々に変化させる遷移領域を設ける。遷移領域では、高周波電力を、原料ガス流量を変化させ始めるタイミングとはずれたタイングで変化させ始める。

請求項（抜粋）：

反応容器内に原料ガスを導入し、高周波電力を供給する工程を有し、基体上に堆積膜を形成して半導体装置を製造する方法であって、前記原料ガスを所定の流量で供給し、所定の前記高周波電力を供給して前記基体上に第1の層を形成する工程と、少なくとも1つの前記原料ガスの流量と前記高周波電力の供給量を、前記第1の層を形成する工程における量とは異なる量として前記第1の層上に第2の層を形成する工程と、前記第1の層を形成する工程と前記第2の層を形成する工程との間で、前記原料ガスの流量と前記高周波電力の供給量を、前記第1の層を形成する際の量から前記第2の層を形成する際の量へと徐々に変化させる工程とを有し、前記原料ガスの流量と前記高周波電力の供給量を徐々に変化させる工程では、少なくとも1つの前記原料ガスの流量を、前記高周波電力の供給量を変化させ始めるタイミングとは異なるタイミングで変化させ始める、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 16/52 , G03G 5/08 360

FI (2件)：

C23C 16/52 , G03G 5/08 360

Fターム (15件)：

2H068DA00 , 2H068EA24 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA24 , 4K030BA30 , 4K030BA37 , 4K030BB13 , 4K030CA02 , 4K030CA16 , 4K030HA01 , 4K030JA05 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030LA17

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