特許

J-GLOBAL ID：200903040242227309

D-A変換出力回路

発明者： 岡本 俊之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061698
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273654
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】出力アナログ信号の高調波歪及び基準レベルの発生を防止すると共に、消費電力を低減する。【構成】CMOS型のインバータ回路を構成するPチャネル型及びNチャネル型のMOSトランジスタQ1,Q2のドレイン間に、これらMOSトランジスタQ1,Q2の静特性の3極管領域におけるドレイン抵抗より十分大きな抵抗値をもつ第1及び第2の抵抗素子R1,R2を直列に接続し、これら抵抗素子の直列接続点をこのインバータ回路の信号出力端とし、このインバータ回路をCMOS型インバータ回路1とする。抵抗素子R1,R2の抵抗値は同一値でもよいし、互いに異なる値として出力アナログ信号Vo の基準レベルを補正することもできる。

請求項（抜粋）：

ソースを電源電位点と接続しゲートに入力信号を受ける一導電型の第1のMOSトランジスタ、一端をこの第1のMOSトランジスタのドレインと接続し、この第1のMOSトランジスタの静特性の3極管領域のドレイン抵抗より十分大きな抵抗値をもつ第1の抵抗素子、ソースを基準電位点と接続しゲートに前記入力信号を受ける逆導電型の第2のMOSトランジスタ、及び一端をこの第2のMOSトランジスタのドレインと接続し他端を前記第1の抵抗素子の他端と接続して信号出力端とし前記第2のMOSトランジスタの静特性の3極管領域のドレイン抵抗より十分大きな抵抗値をもつ第2の抵抗素子を備えたCMOS型のインバータ回路と、このインバータ回路の信号出力端からの信号の低周波領域を通過させる低域フィルタとを有することを特徴とするD-A変換出力回路。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-076618
  
• 特開平4-083423
  
• 特開平4-000912
  
• 特開平3-085015