特許
J-GLOBAL ID：200903040243040776
半導体結晶面の作製方法及び半導体結晶面より成る反射鏡及び半導体量子構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260034
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112134
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 基板に対し45°を成す反射鏡面として利用し易い結晶面を比較的緩やかな成長条件をもって精度良く簡単に得られるようにする。【構成】 主面が{100}結晶面である半導体基板上に、側面2A〜2Dが{010}結晶面で且つこれら側面2A〜2Dに囲まれた上面2Sが主面に平行な面から成る段差2を形成し、この段差を有する半導体基板上に半導体3を気相成長することで段差2のエッジ12Eに対応する部分から延びる{110}結晶面を生じさせ、これら{110}結晶面を構成面として主面に対し45°の角度を有する半導体結晶面を作製する。
請求項（抜粋）：
主面が{100}結晶面である半導体基板上に、側面が{010}結晶面で且つ上記側面に囲まれた面が上記主面に平行な面から成る段差を形成し、該段差を有する半導体基板上に半導体を気相成長することで上記段差のエッジに対応する部分から延びる{110}結晶面を生じさせ、該{110}結晶面を構成面として上記主面に対し45°の角度を有する半導体結晶面を作製することを特徴とする半導体結晶面の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 29/04
, H01S 3/18
