特許
J-GLOBAL ID：200903040244235880
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237764
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094675
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 素子形成ウエハと基板ウエハとの貼り合わせ界面にボイドが存在することのないSOI構造の半導体ウエハを形成できる半導体製造装置を提供する。【構成】 基板ウエハ1aを平坦面に保持する第1のウエハ保持手段2と、この第1のウエハ保持手段2の上方に位置し、相互に独立して形成された複数のウエハ吸着孔3aによって素子形成ウエハ1cを凸状曲面に保持する第2のウエハ保持手段3と、素子形成ウエハ1cを吸着する真空ポンプ(ウエハ吸着手段)4と、ウエハ吸着孔3aの吸着状態を、素子形成ウエハ1cが基板ウエハ1aに当たる部分から順次解除していく真空弁(弁部材)5と、第2のウエハ保持手段3を移動させて基板ウエハ1aと素子形成ウエハ1cとを接触させる駆動手段6とからなるものである。
請求項（抜粋）：
SOI構造の半導体ウエハを製造する半導体製造装置であって、基板ウエハを平坦面または凸状曲面に保持する第1のウエハ保持手段と、前記第1のウエハ保持手段の上方に位置し、相互に独立して形成された複数のウエハ吸着孔によって素子形成ウエハを凸状曲面に保持する第2のウエハ保持手段と、前記ウエハ吸着孔から前記素子形成ウエハを吸着するウエハ吸着手段と、前記第2のウエハ保持手段と前記ウエハ吸着手段の間に設けられ、前記ウエハ吸着孔の吸着状態を、前記素子形成ウエハが前記基板ウエハに当たる部分から順次解除していく弁部材と、前記第1のウエハ保持手段または前記第2のウエハ保持手段の少なくともいずれか一方を移動させて前記基板ウエハと前記素子形成ウエハとを接触させる駆動手段とからなることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 27/00 301
, H01L 21/02
