特許
J-GLOBAL ID：200903040244635757
昇圧トランスとその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280603
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112065
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】高電圧となる外側巻線50を絶縁体で密封する精度を高め、絶縁破壊を確実に防止する。【構成】下面に凹部を設け、上面に貫通孔42を形成した環状の絶縁体カバー40をボビン10のベース部上に重ね合わせ、外側巻線50を凹部の中に収納するとともに、スリット15に絶縁性の第1の接着剤を充填し、カバー40の下面とベース部の間を、貫通孔42から注入した第2の接着剤によって密封する。
請求項（抜粋）：
対向する二側面に端子を植設し該二側面にスリットを形成したベース部と該ベース部のほぼ中央から上方に突出した巻軸を有する絶縁性のボビンと、該巻軸に巻回された内側巻線と、内側巻線の外側に位置する外側巻線を具え、内側巻線と外側巻線のリード線を、それぞれ異なるスリットを通してボビンの下側に引出して端子に接続した昇圧トランスにおいて、下面に凹部を設け上面に貫通孔を形成した環状の絶縁体からなるカバーを、ボビンのベース部上に重ね合わせ、外側巻線をカバーの凹部の中に収納するとともに、スリットに絶縁性の第1の接着剤を充填し、カバーの下面とベース部の間を絶縁性の第2の接着剤で密封したことを特徴とする昇圧トランス。
IPC (6件)：
H01F 31/00
, H01F 27/24
, H01F 27/28
, H01F 27/32
, H01F 41/00
, H01F 41/12
