特許

J-GLOBAL ID：200903040246952555

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-040852
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305325
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗なp型とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、気相成長法により、基板上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる。成長されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体の全体をアニーリングして、p型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層を、p型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。

請求項（抜粋）：

気相成長法により、基板上に、少なくともn型窒化化ガリウム系化合物半導体層と、p型不純物および水素を含む窒化ガリウム系化合物半導体層とを成長させた後、成長されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体をその温度における窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上に加圧した雰囲気中でアニーリングすることにより、p型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層からp型不純物と結合している水素を出して深さ方向均一に低抵抗なp型窒化ガリウム系化合物半導体層とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/324 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/324 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (9件)：

5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA99 ,  5F073CA02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA16 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29